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美光新加坡Fab 10A快閃記憶體工廠完成擴建
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作者:
jameslee81
時間:
2019-8-16 08:21 AM
標題:
美光新加坡Fab 10A快閃記憶體工廠完成擴建
記憶體大廠美光科技（
Micron
）
14
日宣佈完成新加坡
NAND Flash
廠
Fab 10A
擴建！美光執行長
Sanjay Mehrotra
表示，新廠區將視市場需求調整資本支出及產能規劃，並應用先進
3D NAND
制程技術，進一步推動
5G
、人工智慧（
AI
）、自動駕駛等關鍵技術轉型。此外，美光亦將加碼在中國臺灣
DRAM
廠投資，台中廠擴建生產線可望在年底前落成。
美光
14
日舉行新加坡
Fab 10A
廠擴建完成啟用典禮，共有超過
500
名客戶及供應商、經銷商、美光團隊成員、當地政府官員等共襄盛舉，而包括系統廠華碩、記憶體模組廠威剛、
IC
基板廠景碩、記憶體封測廠力成、
IC
管道商文曄等美光在台合作夥伴高層主管亦親自出席典禮。
美光
2016
年在新加坡成立
NAND
卓越中心，包括新加坡
Fab 10
晶圓廠區，以及位於新加坡及馬來西亞的封測廠，此次擴建的
Fab 10A
廠區將根據市場需求的趨勢調整資本支出，預計下半年可開始生產，但在技術及產能轉換調整情況下，
Fab 10
廠區總產能不變。
美光表示，
NAND
卓越中心利用在新加坡的基礎設施和技術專長上的長期投資，擴建的
Fab 10A
為晶圓廠區無塵室空間帶來運作上的彈性，可促進
3D NAND
技術先進制程節點的技術轉型。美光第三代
96
層
3D NAND
已進入量產，第四代
128
層
3D NAND
將由浮動閘極（
floating gate
）轉向替換閘極（
replacement gate
）過渡，
Sanjay Mehrotra
強調，美光
3D NAND
技術和儲存方案是支援長期成長的關鍵，同時進一步推動
5G
、
AI
、自動駕駛等關鍵技術轉型。
美光的
DRAM
佈局上，以日本廣島廠為先進制程研發重心，
2017
年在臺灣成立
DRAM
卓越中心，臺灣成為美光最大
DRAM
生產重鎮。美光近幾年來在台投資規模不斷擴大，台中廠區除了現有
12
英寸廠，也將加快投資進行新廠區擴建，計畫在年底前完成，而台中廠區後段封測廠亦持續擴大產能。
隨著韓國記憶體廠三星及
SK
海力士開始評估在先進
DRAM
制程上採用極紫外光（
EUV
）微影技術，美光也開始評估將
EUV
技術應用在
DRAM
生產的成本效益，隨著
DRAM
制程由
1z
納米向
1
α、
1
β、
1
γ納米技術推進過程，會選擇在合適制程節點採用
EUV
技術方案。
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