返回列表 回復 發帖

[手機情報] 台日韓 2nm 大戰展開,Rapidus 與 台積電 竟有拗手瓜嘅實力


. F# @6 ^; L  F! o8 K+ \. ~: ~www.tvboxnow.com
9 a- ?% s7 E1 j0 k( b6 bwww.tvboxnow.com
% j' D8 S( R4 ?! _( W全球 2nm 處理器工藝競爭進入白熱化階段,日本處理器企業 Rapidus 在該領域取得關鍵進展,其 2nm 工藝邏輯密度數據首次曝光,與行業龍頭台積電的 N2 工藝不相上下,且顯著超越Intel的 18A 工藝。
* v* @% A0 O; W, B1 u公仔箱論壇    tvb now,tvbnow,bttvb' {& }0 T( L% x, f" p" @8 a9 @
1 m1 ^4 S- d2 S) Q5 W1 ~3 o

% q1 w7 H; N% [- T$ h* a4 q( T據披露,Rapidus 的 2nm 工藝(命名為 2HP)邏輯密度達 237.31 百萬晶體管 / 平方毫米(MTr/mm²),而台積電 N2 工藝的這一數據為 236.17 MTr/mm²,二者處於同一水平,Rapidus 甚至在部分維度略有優勢。
9 k& w) {! L8 _; W8 p3 otvb now,tvbnow,bttvb對比其他廠商,Intel 18A 工藝(含 BSPDN 技術)的邏輯密度僅為 184.21 MTr/mm²,與 Rapidus、台積電差距明顯。值得注意的是,Intel 更側重性能與功耗比的平衡,更高邏輯密度並非其核心目標,且 18A 工藝現階段主要供內部使用。Samsung 方面,其 2nm 工藝(2GAA)的邏輯密度數據暫未公開,3nm 工藝(3GAP)邏輯密度為 182.75 MTr/mm²,同樣落後於 Rapidus 與台積電的 2nm 工藝。1 S" b! o' p+ @# V- K
Rapidus 2HP 工藝採用高密度(HD)單元庫,單元高度 138 單位,基於 G45 間距設計,以最大化邏輯密度為核心目標。同時,該企業採用單片前端處理技術,可針對有限生產量靈活調整,並將改進成果應用於最終產品。www.tvboxnow.com) M' [, T  l3 K3 n, ]' y
按計劃,Rapidus 將在 2026 年第一季度向客戶交付 2nm 工藝設計套件,這意味著其 2nm 技術距離商業化落地更進一步,全球 2nm 處理器競爭格局或將迎來新變化。公仔箱論壇+ {6 _. ?$ A1 {& @
https://news.mydrivers.com/1/1071/1071631.htm
返回列表